好样的！中芯传来好消息，N+1芯片或将年底量产

时至今日，芯片已经不仅仅被用于传统PC和移动笔记本，还被广泛用于智能手机以及其他智能穿戴等设备，如新型智能类型的手表、手环、AR全息眼镜等。

而且随着5G时代的到来和不断推进，上至地级以上城市，下至县乡，5G网络都将实现全面覆盖，到那时，物联网也将得到空前发展。

这样一来，中国将需要更多更先进的芯片。毕竟在万物互联中，将会有更多的设备上需要搭载强大的处理芯片和5G通信芯片，以保证物联网可以高效快速地运作。

目前国内很多厂商都可以开发自己的处理器和5G通信基带，比如华为开发的海思系列、紫光展锐开发的虎贲和春腾系列、中兴等厂商也可以开发工艺先进的芯片。

但在先进芯片的制造方面，与国外领先企业相比，国内厂商还有不少差距，某些关键技术仍需进一步突破。

据了解，目前国内厂商尽管已经可以批量生产14nm工艺的芯片，以及小规模试产12nm工艺的芯片，但是量产还是主要以14nm或28nm工艺的芯片为主。

众所周知，生产7nm以下的芯片需要阿斯麦的EUV光刻机，同时基于美国禁令的限制，国内厂商无法获得。

然而，在缺乏EUV光刻机的情况下，国内厂商也发现了先进芯片制造的新方法。

根据中芯国际梁梦松博士早些时候的说法，他创造了自己的芯片制造方法——FinFET N+1工艺，简称N+1工艺。

据悉，与14nm工艺相比，这套N+1工艺在性能方面提高了20%，在功耗、逻辑面和SoC面积三方面也均有大幅下降，降幅分别为57%、63%和55%。

而与目前的7nm工艺相比，虽然在性能方面稍弱，但在稳定性和功耗方面，这套N+1工艺可以说已非常相似。

特别要指出的是，N+1工艺之后，中芯国际还在推进N+2工艺。在功耗上，两者非常相近，而在性能上，N+2工艺则会更强，当然其成本自然也会增加。

简单来说，N+1重在低功耗，N+2重在高性能。

此外，这套N+1工艺预计2020年底实现量产，而N+2工艺则需要在2021年底才进行试产。

振奋人心的是，中芯国际传来了好消息，近日其官方宣布第二代FinFE TN+1已经进入客户引入阶段，预计到2020年底进行小批量试产。

也就是说，中芯国际的第一代N+1工艺芯片或将年底问世了。

半导体工厂，印刷电路板

不得不说，中芯国际是好样的！

因为中芯国际在技术上的进步实在是快，2019年底才完全攻克14nm工艺，随后没多久又再次攻克12nm工艺并开始试产。

而如今，中芯国际更是迎来新一轮突破，实现N+1工艺，这意味着在一年多的时间里，中芯实现了三度突破。

要知道，至今就连芯片界老大哥英特尔也还是停留在10nm工艺，7nm工艺也并未攻克。

而后起之秀中芯国际则在短时间内实现三度突破，不但攻克了14nm和12nm，还在缺少EVU光刻机的前提下，另辟蹊径开创了N+1工艺，使其芯片无论在性能提升，还是在功耗、逻辑面积和SoC面积控制等方面都有不俗表现。

从性能、功耗、逻辑面积等多方面综合地比较，N+1工艺已经几乎可以与台积电7nm工艺的芯片媲美。况且除了N+1以外，同时N+2工艺也在推进中，一旦其也实现量产，中芯的工艺也将会进一步提高。