相信美国从芯片上压制华为的事情大家多少应该都有所耳闻。不仅是华为这一个企业，很长时间以来，芯片可以说是我国科技领域里的短板。因此，许多科技企业常常因为芯片而受制于美国。

 

我国的芯片很大程度上确实是落后于美国，但硅基芯片现如今是越来越靠近物理极限，摩尔定律也将失效，中美的“芯片之战”也可以说是迎来了重要的转折，是中国实现弯道超车的一个机会。

什么是硅基芯片？

一说到芯片，相信许多人心里都有一个概念。但一说到硅基芯片，许多人也许就并不是很了解了。硅基芯片是芯片的一种，正如它的名字一样，硅基芯片主要以二氧化硅为原材料，经过一系列复杂的加工，制作成我们所熟知的硅基芯片。

 

硅基芯片的制作非常的复杂，许多专利和技术还被美国所牢牢掌握。想要绕开美国去进行硅基芯片的研发是非常不容易的。除了这些方面之外，晶体管或是元器件的数量决定着芯片方方面面的性能，随着摩尔定律不断靠近极限，硅材料各种问题也逐渐展现出来。总而言之，硅基芯片的前景非常有限。

碳基芯片vs硅基芯片？

硅基芯片的前景非常有限，那么就只能寻求可以替代硅的材料了。碳无硅相比，运行速度更快，消耗的功率却更低，成本上更是远低于硅。

 

此外，碳基芯片传导传热的能力更加强悍，在大功率，高频高功率这方面的应用上，硅是远远不能相提并论的。碳多方面都明显优于硅，或许可以更近一步靠近摩尔定律极限。

中国的碳基芯片取得突破，弯道超车能否实现？

早在2007年的那个时候，中国知名的彭练矛院士还有著名的张志勇教授的研究团队，就已经着手展开对碳基芯片研究。功夫不辜负有心的人，在2017年的时候，他们成功研制出了5nm的碳纳米管CMOS器件，放在那个时候，可以说是全球范围内最小的高性能晶体管，性能上更加是远远超过硅基芯片。

 

2020年，北大团队又取得了非常重大的突破。北大的团队出人意料的做出了纯度超高的碳纳米管，而且在晶圆硅片上，每微米排列达到了惊人的100到200个碳纳米管。

无数科研人员的夜以继昼，中国在碳基芯片上逐渐迎来了属于自己的优势。

优势虽然存在，但有所遗憾的是，我们的劣势也是非常明显的——那就是生产芯片离不开的光刻机，我们在光刻机上落后的实在是太多了。单纯依靠碳基芯片就想迅速实现弯道超车，可以说是不太现实的。

 

但这并不意味着我们就不可能弯道超车，碳基芯片的突破只是一个开始，在未来，相信会有越来越多的突破。