三星大容量LPDDR5量产，采用1z工艺

近期，三星电子正式宣布，旗下位于韩国平泽市的第二代生产线，已经正式量产首批16GB LPDDR5（2GB）容量的LPDDR5，并将采用更为先进的EUV极紫外光刻工艺。

该内存将基于三星第三代10nm（1z）工艺，最高频率可达6400Mbps（相当于6400MHz），比目前正在已经开售的12GB LPDDR5快了16%左右。

另外，三星还表示，由于采用了先进的1z工艺，这款芯片比上一代薄了30%。仅需要10片，就能够达到16GB容量，比上一代的12GB版本内存还要少两片。如今手机内部寸土寸金，内存芯片更薄，有利于手机厂商增加其他配置，比如大底传感器、更多天线、更大电池等。

至于发布时间，按照三星的产品线，应该会在明年第一季度登场，由Galaxy S21首发。随后这款芯片才会正式开售，卖给其他手机厂商。