5nm还没量产，台积电已经公布3nm工艺详情

在台积电的财报会上，台积电首次对外公开了其3nm工艺详情，并预计会在2022年的下半年左右量产。台积电表示，3nm工艺研发符合预期，并没有受到疫情影响，预计在2021年进入风险试产阶段，在2022年下半年正式量产。

原本台积电计划于4月29日在美国举行相关技术探讨，但由于疫情的影响，这个探讨会起码会延迟到8月份左右，因此台积电提前公布了3nm的工艺详情。

据悉，台积电认为现行的FinFET工艺在制造3nm时的成本及能效上更佳，所以3nm首发依然会是FinFET晶体管技术。相比于7nm的FinFET工艺，3nm工艺起码可以减少50%的功耗并增加30%的性能。

不同于台积电的竞争对手三星的3nm工艺，三星首发的是第一代GAA晶体管工艺3GAE，功耗降低50%的同时还能提升35%的性能。虽然从参数上来看，三星的3nm工艺要更出色一些，不过考虑到三星的翻车率，还是台积电比较稳一些。