光刻机是芯片制造的关键，现在中国有哪些企业在研究光刻机？

目前国内研究光刻机的企业不少，因为光刻机实在太重要了。

由于光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平，光刻成为 IC 制造中最复杂、最关键的工艺步骤， 光刻的核心设备——光刻机更是被誉为半导体工业皇冠上的明珠。目前最先进的是第五代 EUV光刻机，采用极紫外光，可将最小工艺节点推进至 7nm。由荷兰 ASML制造。

国内光刻机技术比较先进，已经量产的应该是上海微电子装备有限责任公司（简称SMEE)，已经实现90nm的量产，目前正在研究65nm的工艺。

其他的包括 合肥芯硕半导体有限公司、先腾光电科技有限公司、无锡影速半导体科技有限公司等一些企业，在光刻机上衣和有自己的成果。

但这些光刻机企业，目前还是在原来的道路上一步一步往前走，相信只要努力，未来也能达到很高的水平。但对于光刻机行业来说，他们的追赶速度虽然很快，但技术进步的速度也是很快。所以，他们只能持续在低端方面，占有一定的市场份额。

如果要进入高端市场，目前国内最先进的光刻机技术，应该是中科院光电技术研究所的技术成果。

2018年11月29日，新华社报道称，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收。据悉，该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。

也就是中国科学院光电技术研究所的这个成果，直接将中国光刻机技术向前推进好几代。

当然，这个科研成果，距离完整实现量产，还有好几个关卡要过。

首先是光刻分辨力达到22纳米只是一次极限测试，属于单次曝光，还制造不了芯片。

其次是，能够实验室制造芯片，还要实现量产，这又是一个关卡。

但总的来说，已经有了“光刻分辨力达到22纳米”，那么距离成型机，已经没有那么遥远了。

更重要的是，目前的紫外线光刻技术，在7nm的芯片出来之后，已经需要一个新的工艺突破。就像当年从液浸式到 EUV的技术飞跃一般。

而中科院这个项目，走了另外一条道路。拿一块金属片和非金属片亲密接触，界面上有一些乱蹦的电子;光投影在金属上，这些电子就有序地震荡，产生波长几十纳米的电磁波，可用来光刻。这叫表面等离子体光刻。

这条道路的优势是未来的成本可以低于目前主流的技术，极限可能高于未来的主流技术，在原理上突破分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过国外相关知识产权壁垒。

也就是，中科院光电技术研究所的这条技术路径，是非常有价值的一次技术突破，或者技术发现。有可能让中国的光刻机实现弯道超车，而不是在现在主流的工艺道路上亦步亦趋。