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国产存储芯片获重大突破,有望打破韩美垄断

文章来源:老客SEO 作者:老客SEO 人气:20 时间2019-10-26 12:40:59

文 | 贡晓丽

长江存储科技有限责任公司(以下简称长江存储)的公众号已经4个多月没有更新了,几天前的一次推送,引来了芯片界的大规模围观。《采用Xtacking架构,长江存储启动64层3D NAND闪存量产》是这篇推送文章的标题。

长江存储的3D NAND闪存实现量产,这也是紫光在存储芯片上的高额投资终于收获的硕果,意义不外乎满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求;有望打破三星、SK海力士、镁光等公司的垄断局面……

但也应看到,短期内,国产的3D NAND闪存,仍不能撼动全球市场。

国产存储芯片获重大突破,有望打破韩美垄断

长江存储64层3D NAND闪存晶圆

为了不再被卡脖子

还记得2016年的全球内存芯片大缺货吗?三星电子当年营收达809亿美元,利润270亿美元,成功挽救了当时深陷Note 7手机自燃丑闻的三星。SK海力士那一年也收入142亿美元,镁光收入128亿美元。

此次内存涨价,不但极大的蚕食了我国电子整机企业的利润,而且对产业的发展也带来影响。以手机行业为例,小米、华为作为国内最大的手机生产商之一,从2016年开始,存储器采购成本大幅增加,利润被严重压缩。面对内存涨价的不利局面,既要能够拿到货,又要维持基本利润,不得不调高手机价格,结果涨价的成本又转移到了消费者身上。

内存涨价对本来就萎靡不振的PC市场来说更是雪上加霜。许多消费者表示由于内存涨价太厉害,不得不暂时放弃大内存配备;部分装机店主表示,受到内存涨价影响,电脑装机量下降20%,其中来自网吧的订单至少下降50%。内存涨价的结果最后还是由中国电子产业链上的企业、经销商和消费者共同买了单。

有专家指出,如果中国不解决存储芯片自己制造的问题,所谓的信息化时代,我们会失去一个非常重要的依托和基础。

国产存储芯片获重大突破,有望打破韩美垄断

2018年8月Xtacking获得FMS“Best of Show”奖项

这也就是我们为长江存储研发3D NAND闪存拍手称好的原因。

以前,刚需被卡了脖子,白花花的银子流进了别人的口袋,前几大厂商还可以轻易操纵产量和价格,低价能够挤垮竞争对手,涨价则能谋取暴利。巨头垄断,令国内整机厂商时常遭遇存储芯片缺货的情况,唯一的出路就是寻求本土自研自产芯片替代。

目前,在DRAM市场,三星、SK海力士、镁光占据了超过90%的市场份额,其中两家韩国企业三星和SK海力士的市场份额加起来高达70%左右。

三星、海力士、东芝、西部数据等巨头同样在NAND FLASH产能上持续投入。2018年,64层、72层的3D NAND闪存就已经是主力产品,2019年开始量产92层、96层的产品,到2020年,大厂们即将进入128层3D NAND闪存的量产。

长江存储作为国内最大的NAND FLASH研发和制造厂商,被国人们寄予厚望。先前,长江存储用了大约两年的时间,投入10亿美金的研发费用,组织上千人的团队研发出的首款32层3D NAND FLASH已告成功。后面是集中力量研发和量产64层3D NAND FLASH、128层3D NAND FLASH等闪存芯片。

收购不成转而自研

长江存储隶属于紫光集团,紫光选择自主研发存储芯片是被逼出来的,没有工程师和相关技术经验积累,打造芯片有多难?紫光当然意识到了问题的严峻,而在开始时打算通过与外商合作或并购的技术引进模式来打造自己的存储芯片。

紫光曾经试图以每股21美元,总价230亿美元的价格全面收购镁光,结果没能完成收购。紫光也试图以38亿美元收购西部数据15%股权,然后由西部数据出资190亿美元“曲线收购”闪迪,结果因受外部势力干涉最终不得不终止。之后,还传出紫光试图出资53亿美元收购SK海力士20%的股份,但该收购传闻最终也没有结果。

在海外收购中频频碰壁,紫光只能坚持“自己的技术要靠自己研发”,在境外持续高薪寻找优秀的人才,还聘请了在中国台湾省有“存储教父”之称的高启全。

在整合两岸技术团队之后,长江存储开启了自主研发之路,并在2017年完成32层NAND的小批量生产,在2019年完成了64层NAND量产。

长江存储在NAND上取得突破,是十多年持续研发的成果。

早在2006年,武汉就投资100亿元启动武汉新芯项目,经过多年的磨砺和成长,武汉新芯在存储器领域已经有了一定成果。之后合肥、武汉等5座城市争夺存储器基地,由于武汉新芯在这方面已经有一定基础,因而最后武汉取得了胜利。随后,紫光等国有资本对武汉大量注资,并在武汉新芯的基础上成立组建了长江存储。

国产存储芯片获重大突破,有望打破韩美垄断

长江存储核心厂区近况

据长江存储文章介绍,其64层三维闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品,拥有同代产品中最高存储密度。创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合,相比传统三维闪存架构可带来更快的传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

长江存储相关负责人表示,长江存储64层三维闪存产品的量产,将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到两年以内。

据业界有关人士分析,长江储存发展迅速,其虽然未公布量产规模,预计2020年底其可望将产能提升至月产6万片晶圆的水平。长江存储64层三维闪存产品的量产有望使中国存储芯片自产率从8%提升至40%。

一旦长江存储的NAND通过紫光系企业的推动获得市场认可,那么,国内其他企业自然会跟进,并使国外存储芯片企业在中国市场份额逐年降低。

存储芯片何时盈利?

中国有市场,长江存储有技术,存储芯片自产率眼看就可以涨起来?现实情况却是,在产品没有取得足够的市场占有率之前,存储芯片业务恐怕很难给公司带来盈利。而且亏损要持续多久?紫光也没有确切的时间数字。

紫光集团近期发布的中报数据显示,紫光集团总资产2740亿,净资产721亿,资产负债率73.68%,2019年上半年收入332亿,去年同期收入为308亿,合并总利润为-37亿,去年同期合并总利润为2亿。

对紫光集团的业务进行分析,可以发现,紫光集团三家A股上市公司紫光股份、紫光国微、紫光学大的收入占了紫光集团收入的绝大部分,三家上市公司的净利润合计11.3亿,存储芯片业务是造成其亏损的重要原因。

紫光集团的存储芯片业务主要由四个板块组成:长江存储、武汉新芯、紫光存储、西安紫光国芯。

长江存储每年的研发费高达10亿美元,刚刚开始量产,收入几乎为零。武汉新芯是长江存储的全资子公司,其经营情况应该是包括在长江存储的报表内。

紫光存储的业务是研发和生产SSD、手机存储芯片卡,它和英特尔签有长期供货协议,目前3D NAND晶圆的价格每GB已经下降到5~6美分,紫光存储的业务应该也亏损很严重。

西安紫光国芯的主要业务是研发DRAM,目前每年收入不足10个亿,紫光集团于2019年6月30日宣布组建DRAM事业群,DRAM的研发投入强度不比3D NAND少。

由此可以推断,紫光集团在3D NAND和DRAM上的研发投入,是其亏损的主要原因。为了给长江存储提供充足的资金支持,紫光不得不开始筹集数千亿的资金,为未来数年准备充足的“弹药”。

国产存储芯片获重大突破,有望打破韩美垄断

长江存储将在其第三代3D NANA闪存中应用Xtacking2.0

紫光和长江存储的转机,或许明年就会到来。有消息称,在2020年长江存储的64层NAND产能提升上来后,紫光麾下H3C的服务器、存储设备、智能终端将率先搭载长江存储的NAND。将来不排除向智能手机厂商组团推销长江存储NAND的可能性。这种垂直整合在长江存储NAND推向市场初期,能够提供非常关键的推动作用。

就电子行业的其他领域经验,一旦中国掌握了核心技术,相关产品的价格和利润很快会被降下来,面板和太阳能行业就是最好的例子,所以国外巨头肯定会为了避免存储器行业被中国厂商拿下,而对中国企业进行绞杀。比如通过技术优势形成产品代差竞争、操纵产量影响价格或专利战的方式。

但无论前进的路上有多少雷,中国都必须向前走,因为我们没有退路。

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