三星成功突破低良率难关，3nm GAA 制程如期量产

13 日消息，三星电子此前表示，将在本季度 (即这几周) 开始使用 3GAE (早期 3nm 级栅极全能) 工艺进行大规模生产。不过，先前业界传出三星 3nm 良率仅 20～30%，可能拖累量产进程，引起业界担忧。

据电子时报，业界传出消息称三星 3nm 良率问题已解决，3nm GAA 制程将如期量产。

IT之家曾报道，三星在其第一季度电话会议上向其股东保证，该公司正在按计划进行。三星电子正努力打消股东对于有传闻称代工部门产率出现问题的担忧。

在芯片生产方面，他还表示，5nm 工艺已经进入批量生产的成熟阶段，而 4nm 芯片的产能将很快开始改善，“虽然 4 纳米制程初期的产量扩大有所延迟，但目前正以稳定为重点，进入预期的产量改善曲线。”

他还表示:“通过改善 3nm 制程的节点开发体系，三星现在对每个开发阶段都有一个验证流程”，他强调这将有助于缩短产量爬坡期，提高盈利能力，并确保更稳定的供应。

在接下来的 3nm 节点中，三星比台积电更激进，决定放弃 FinFET 晶体管技术，全球首发 GAA 晶体管工艺，而台积电的 3nm 工艺依然会基于旧工艺。

三星之前表示，GAA 是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能。

根据三星的说法，与 7nm 制造工艺相比，3nm GAA 技术的逻辑面积效率提高了 45% 以上，功耗降低了 50%，性能提高了约 35%，纸面参数上来说却是要优于台积电 3nm FinFET 工艺。